存储容量：容量为 16 兆比特（Mbit），可组织为 2M x 8 位或 1M x 16 位。
接口类型：采用并行接口，具体为 CFI（Common Flash Interface）接口，有助于实现高速数据传输。
工作电压：工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，可在标准 3.0V 电源系统中编程。
访问时间：访问时间最快可达 55ns 或 70ns（不同资料略有差异），能让高速微处理器无需等待状态即可运行，提高系统数据读取速度。
封装形式：有 48 球精细间距 BGA（0.8 毫米间距）、64 球强化 BGA（1.0 毫米间距）和 48 球引脚 TSOP 封装等多种形式，可满足不同电路板设计需求。
功耗特性：具有超低功耗特性，自动睡眠模式电流和待机模式电流典型值均为 0.2μA，读取电流为 7mA，编程 / 擦除电流为 20mA。
温度范围：工作温度范围为 - 40°C 至 + 85°C，部分资料显示可支持扩展温度范围 - 40°C 至 + 125°C，适应不同环境条件。
数据保留与擦写寿命：数据保留期通常为 20 年，每个扇区的擦写耐久性典型值为 100 万次。
特殊功能：具备扇区组保护功能，可通过硬件方法锁定扇区，防止程序或擦除操作，也可临时解除保护以便修改代码，还具有出色的意外写入保护功能。
该闪存芯片可应用于计算机及计算机外设等领域，能用于存储固件、引导程序等数据，为设备启动和运行提供必要的程序支持。
