容量与架构：存储容量为 2Gbit，内存架构为 128M x 16，可提供较大的数据存储和处理空间。
工作电压：工作电压为 1.35V（电压范围 1.283V 至 1.45V），属于低电压版本，相比传统 DDR3 更节能。
时钟频率与数据传输速率：最高时钟频率为 800MHz，数据传输速率可达 1600Mbps，能满足多种高速数据处理场景的需求。
封装形式：采用 96 引脚的 FBGA（球栅阵列）封装，尺寸为 8mm x 14mm，有利于节省电路板空间，适合表面贴装工艺。
性能参数：具备 8 个内部存储 Bank，支持可编程的列地址选通潜伏期（CAS）、写入潜伏期等参数设置，固定突发长度为 8，还支持突发切割功能。
工作温度范围：工作温度范围为 - 40°C 至 95°C，能够适应较宽的温度环境，可靠性较高。
应用领域：广泛应用于企业级服务器和工作站、高可用性数据中心设备、电信级网络基础设施、高端计算机和游戏主机等对内存性能和稳定性要求较高的设备，也可用于医疗设备、工业控制系统、军工和航空航天电子设备等领域。
