
容值与精度:容值为 100nF(即 0.1μF),精度为 ±5%(标识 “J”)。
额定电压:100V DC。
工作温度:-40℃~+105℃,具备较好的温度稳定性。
封装与脚间距:采用插件封装,引脚间距(P)为 5mm。
材料与性能:以金属化聚丙烯薄膜为介质,具有高介电强度、低损耗、优异的频率特性,适用于高频电路、电源滤波、音频设备等场景。
该型号电容的稳定性和可靠性使其在工业级电子设备中备受青睐,设计时需根据电路的电压、频率和温度要求合理选用。
MES104J2A-7-50R0 容值与精度:容值为 100nF(即 0.1μF),精度为 ±5%(标识 “J”)。

容值与精度:容值为 100nF(即 0.1μF),精度为 ±5%(标识 “J”)。
额定电压:100V DC。
工作温度:-40℃~+105℃,具备较好的温度稳定性。
封装与脚间距:采用插件封装,引脚间距(P)为 5mm。
材料与性能:以金属化聚丙烯薄膜为介质,具有高介电强度、低损耗、优异的频率特性,适用于高频电路、电源滤波、音频设备等场景。
该型号电容的稳定性和可靠性使其在工业级电子设备中备受青睐,设计时需根据电路的电压、频率和温度要求合理选用。